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上海半导体工程技术研究中心
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半导体热分析仪
型号:Phase 11
制造厂商:Analysis Tech
购置日期:
生产国别:美国
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仪器详情
用户评价
功能/应用范围:
测试已封装的半导体器件的热属性,包括半导体器件封装二极管,发光二极管,双极晶体管,MOSFET,功能模拟/数字集成电路,ACSICS,IGBT的,可控硅,晶闸管等。 利用结温的测量,热分析仪分析技术准确地测量半导体器件的热参数?D?D对半导体器件的设计和应用中的热可靠性十分重要。
主要技术指标:
0-1(2)安培电流测量准确度:±5mA(±10mA) 仪表显示:±0.5mA(±1.0mA) 0-10(20)安培电流测量准确度:±20mA(±40mA) 仪表显示:±5mA(±10mA) 电压测量准确度:±0.2%,±10mV 仪表显示:±5mV 热电偶测量准确度:(标准类型T):±0.15℃典型,±0.15℃最大(温度感应通道准确度:±0.5%,±2%最大 脉冲时间准确度/重复性:±0.1%,±1%最大 温度测试延时:最小3毫秒 芯片连接脉冲选择:0.002-1000秒 模拟输出控制端口:0-10VDC 最大采样频率:333kHz 继电器驱动接口: (8),30mA,@最大50mA 最大外部供电电压:50伏 最大外部供电电流:10(20)安培 感应电流选择范围:1mA,5mA,可调整范围:0.1-50mA 加热和冷却曲线时间分辨率:1微秒 加热和冷却曲线的跨度:1微秒 - 10000秒 加热和冷却曲线点绘制每10:15 紧凑的动态优化模型玩具与2-8离散阶段
服务内容:
服务典型成果:
用户须知:
对外服务时间:9:00-17:00。参数:0-1(2)安培电流测量准确度:±5mA(±10mA) 仪表显示:±0.5mA(±1.0mA) 0-10(20)安培电流测量准确度:±20mA(±40mA) 仪表显示:±5mA(±10mA) 电压测量准确度:±0.2%,±10mV 仪表显示:±5mV 热电偶测量准确度:(标准类型T):±0.15℃典型,±0.15℃最大(温度感应通道准确度:±0.5%,±2%最大 脉冲时间准确度/重复性:±0.1%,±1%最大 温度测试延时:最小3毫秒 芯片连接脉冲选择:0.002-1000秒 模拟输出控制端口:0-10VDC 最大采样频率:333kHz 继电器驱动接口: (8),30mA,@最大50mA 最大外部供电电压:50伏 最大外部供电电流:10(20)安培 感应电流选择范围:1mA,5mA,可调整范围:0.1-50mA 加热和冷却曲线时间分辨率:1微秒 加热和冷却曲线的跨度:1微秒 - 10000秒 加热和冷却曲线点绘制每10:15 紧凑的动态优化模型玩具与2-8离散阶段 。附件:LED高电压放大器 通用PWB适配器卡 意大利新型设备校准浴 EVN-12 静止空气箱 RJC风冷散热测试夹具
收费标准:
面议
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