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上海季丰电子股份有限公司
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场发射透射电子显微镜
型号:TALOS F200i
制造厂商:FEI Hong Kong Company Limited
购置日期:
生产国别:美国
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仪器详情
用户评价
功能/应用范围:
TEM在中和物理学和生物学相关的许多科学领域都是重要的分析方法,如癌症研究、病毒学、材料科学、以及纳米技术、半导体研究等等。 通过使用TEM不同的模式,可以通过物质的化学特性、晶体方向、电子结构、样品造成的电子相移以及通常的对电子吸收对样品成像。如利用质厚衬度(又称吸收衬度)像,对样品进行形貌观察;利用电子衍射、微区电子衍射、会聚束电子衍射物等技术对样品进行物相分析,从而确定材料的物相、晶系,甚至空间群;利用附加的能量色散X射线谱仪或电子能量损失谱仪对样品的微区化学成分进行分析。
主要技术指标:
一、加速电压:20-200 kV TEM线分辨率:≤0.10 nm STEM 分辨率:≤0.16 nm 二、分辨率HR-STEM 该测试证明了该系统在STEM模式下的高分辨率。在测试过程中,会记录硅晶格的高分辨率STEM图像。FFT的HR-STEM图像确实显示了正在被解析的各种晶格平面的间距; 分辨率HR-STEM技术指标: 0.16 nm分辨率由<110>硅的FFT中311反射证明; 三、探针电流1 nm点 探头电流测量表明,该系统确实将大电流传递到小电流中探针,因此也保证了枪有足够的亮度。在此测试中,设置电容器系统,使其聚焦大电流探头(S-FEG≥0.6 nA ;X-FEG ≥1.5nA (可选)朝向试样平面。杨氏条纹可见:≤0.12nm。 四、侧入式EDS Dual-X 2x 6T|100 RT探测器的能量分辨率主要参数: 测量两个探测器的和谱的能量分辨率。 每台探测器在Mn≤129ev @ 10kcps时的EDS能量分辨率; 每台探测器在Mn≤140 eV @ 100 kcps时的EDS能量分辨率;
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