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功能/应用范围：
深能级瞬态谱是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段。根据半导体P-N 结、金－半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C～t）技术和深能级瞬态谱（DLTS）的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具有极高检测灵敏度(检测灵敏度通常为半导体材料中掺杂济浓度的万分之一)的实验方法，能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。
主要技术指标：
脉冲发生器
电压范围： ±20.4 V (±102 V opt.)
脉冲宽度：1 μs - 1000 s
- 电容测量
高频信号100 mV @ 1 MHz (20 mV 可选)
电容范围 [pF] 3, 30, 3000 3000 (自动或手动)
灵敏度 0.01 fF
- 电压测量：
范围 ±10 V
灵敏度 < 1 μV
温度范围：80K~550K
电阻范围：0.1 mOhm - 10 GOhm
服务内容：
服务典型成果：
用户须知：
收费标准：
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