仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
提高1700V/1200V SiC MOSFET 的高频高功率密度电源系统的 EMI 性能，提升电源系统可靠性
主要技术指标：
频率范围：9 kHz to 3 GHz。
优良射频性能：0.5dB 的电平精度，1dB 压缩点 +5dBm， 射频输入抗脉冲功率高达 10mWs，平均噪声显示电平（前置放大器打开）<-152dBm(1Hz)，分辨率带宽 10Hz～10MHz（-3dB）；200Hz、9KHz、120KHz（-6dB）、1MHz（脉冲带宽）。
服务内容：
服务典型成果：
用户须知：
收费标准：
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