VT-STM 变温扫描隧道显微镜

XY方向分辨率：0.1 nm；

Z方向分辨率：0.01 nm；

最大扫描范围：10 μm × 10 μm × 1.5 μm；

样品台移动范围：4 mm × 4 mm；

工作压力：超高真空（UHV）;

样品直接加热温度：> 1200℃；

间接加热温度：> 900℃。

1. STM和AFM形貌扫描，可获得薄膜形貌及原子分辨；

2. 可实现MFM扫描功能；

3. MBE生长系统，可进行原位的样品处理及样品生长。

变温STM（VT- STM）可得到材料表面的高质量原子分辨像，还可以在大温度区间测量材料的性质。

Si表面原子分辨和台阶

1. STM测试样品需为导体或导电性良好的半导体；

2. 样品可用标准旗形样品托固定，样品尺寸建议小于10*10*1 mm；需直流加热处理的样品尺寸10*2*0.5 mm，其他样品尺寸联系管理员确认；

3. 液体、粉末及挥发性强或真空内放气严重的固体不可进入超高真空腔室测试。