MEB 超高真空多腔体镀膜系统

可制备4英寸和2英寸器件；

真空度：进样/蒸镀/氧化腔极限真空2.0E-8 Torr, 2.2E-10 Torr, 2.0E-9 Torr；

样品台0-360°旋转，精度±0.2°，0-340°倾斜，精度±0.02°；

电子束蒸发膜厚均匀性：优于3%；

离子束刻蚀3英寸样品均匀性优于3%， 4英寸样品均匀性优于6%；

可进行氧气氛围下压力0-100 Torr的静态氧化，压力0-40 Torr的动态氧化。

      主要用于基于铝的超导约瑟夫森结的制备，亦可进行样品表面清洗、表面刻蚀以及金属薄膜（仅限于Ti、Al）沉积。该设备可用于超导薄膜沉积、超导空气桥制备、超导量子干涉器件（SQUID）、约瑟夫森参量放大器（JPA，或JTWPA等）以及各类超导量子比特芯片制备，专用于超导电子学和超导量子计算等领域。

(a) 使用离子束刻蚀铝薄膜线，线的电阻随着刻蚀时间增加；(b) 通过电阻推算剩余铝膜的厚度随刻蚀时间变化，分段直线拟合出氧化铝和铝的刻蚀速率；(c) 电子束曝光和显影后制备约瑟夫森结的光刻胶图案；(d) 制备的约瑟夫森结，面积线宽188 nm，长度205 nm。

2英寸晶圆或4英寸晶圆，其他尺寸的样品需要贴在2英寸或4英寸晶圆上进样。