AES-EBSD

设备与生长设备互联，可以避免外界杂质、空气、水对材料表面的形貌和元素的影响；与测试/工艺设备互联应用，可以结合多台设备对样品形貌、元素分布与比例、晶体结构解析等综合分析。

同轴筒镜式能量分析器(CMA)和电子枪同轴设计，可提供最全面的俄歇分析能力。

AES测试元素：Li~U；

分析深度：5 nm；

二次电子成像空间分辨率：<3 nm；

AES空间分辨率：<8 nm；

配备氩离子枪，可进行中和荷电和深度剖析测试；

EBSD可提供晶体材料物相、晶粒尺寸、晶体取向、晶界、织构和再结晶分析等。

1.     AES的采谱、线扫、面扫和深度剖析（测试表面元素，测试深度5 nm）

（2）表面元素的线分布（样品是区域选择性原子层沉积制备的Cr/Hf薄膜，厚5~20 nm）

（3）表面元素的面分布（样品是区域选择性原子层沉积制备的Cr/Hf薄膜，厚5~20 nm）

（4）深度剖析（获得多层结构膜层中元素的深度分布）

1. 2.     EBSD解析晶体结构

（1）GaN晶体结构解析（结果表明样品是0001单晶，同时可用菊池花样表明具体的晶格取向，精确到具体晶面指数和欧拉角）

（2）EBSD测试孪晶（测试表明：样品是Ni单晶，且出现面内孪晶。）

结果发表于J Mater Sci (2021) 56:3220–322

样品表面平整，导电性良好；

样品不含腐蚀性、毒性和放射性物质；

样品干燥，不含结晶水；

样品无磁性；

样品不含挥发性物质；

样品尺寸小于10 mm*10 mm，样品高度小于5 mm；

EBSD测试，请提前联系设备管理老师沟通样品制备。