RTA 超高真空快速退火炉

可用于生长前衬底处理或测试前表面处理。

上下加热炉最高设定加热温度：1000℃；

样品最高加热速率：50℃/s，即样品常温升温至1000℃最少20 s；    

炉丝最高加热速率：50℃/min，可根据程序精准控制；

设定上下炉温1000℃时真空度：优于5×10^-8 Torr；

加热控温精度：1℃；

温度均匀性：优于5%；

工艺气体：N2、H2、Ar；

气体流量：小于20 sccm；

可处理的样品尺寸：2英寸。

衬底和样品的表面清洁，缺陷修复，晶粒长大。

      纳米真空互联实验站C类合作课题用户，国防科技大学彭俊平课题组在ɑ-Al₂O₃ (0001) 衬底上成功制备了平整洁净的外延晶圆级单晶Ni (111) 薄膜，为解决Ni薄膜中晶界和双晶结构，从而获得大尺寸均匀石墨烯扫除障碍。该工作以“Wafer-scale epitaxial single-crystalline Ni (111) films on sapphires for graphene growth”为题发表在JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS期刊上。

适用于2英寸样品，小于2英寸样品需固定，粉末样品不可进入，导电胶光刻胶等有机物不可使用。