纳米真空互联实验站设备介绍第21期——UHV-Sputter-2 超高真空磁控溅射-2
- 时间:2023-10-11 14:12:51
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纳米真空互联实验站设备介绍之 UHV-Sputter-2
超高真空磁控溅射-2
01 设备简介 设备品牌:
上海实路真空技术工程有限公司Shanghai Shilu Instruments Co., Ltd.
设备型号:
UHV Sputter -350L
设备原理:
一种较为常用的PVD镀膜法,在真空室中,利用低压气体放电现象,使处于等离子状态下的离子轰击靶表面,并利用环状磁场控制辉光放电,使溅射出的粒子沉积在基片上,从而得到均匀优质的薄膜。
应用领域:
适用于绝大部分器件工艺、表面装饰等领域,在高温超导薄膜、太阳能电池、记忆合金等薄膜研究方面起到重要作用,快速沉积优质超硬膜,增透膜,表面功能膜等适应科技领域前沿方向。
主要特点:
1. 溅射靶枪:4支标准靶枪,1支为强磁靶枪;
2. 工艺气体:Ar、N2、O2;
3. 沉积温度:室温-750℃;
4. 极限真空:3E-10 Torr;
5. 兼容样品:2英寸;
6. 膜厚不均匀性:≤5%;
7. 衬底偏压:0-50 W;
8. 石英灯除气:0-350℃。
02 真空互联特色 互联转接制作中
03 关键性能指标 基片加热(室温~700℃);
溅射腔本底极限真空:3E-10 Torr;
溅射真空:≥1.9 mTorr;
拥有直流电源(~500 W)和射频电源(~300 W);
工艺气体:Ar(~200 sccm),O2(~100 sccm),N2(~100 sccm);
不均匀性:≤5%;
冷却水:1.5~3 L/min;
溅射速率:0.1~10 A/s。
04 设备功能 材料生长:
1. 常规金属:Ti,Ta,Nb,Cu,W,Al,Ni等;
2. 陶瓷材料:STO,ITO。
05 设备案例 ITO:可见光波段,平均透过率≥95%
06 制样要求 标准两寸片,碎片或小片可选择粘贴或点焊在2寸Mo托上。
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