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纳米真空互联实验站设备介绍第21期——UHV-Sputter-2 超高真空磁控溅射-2

  • 时间:2023-10-11 14:12:51
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  • 纳米真空互联实验站设备介绍之

      UHV-Sputter-2 

    超高真空磁控溅射-2

     
    01

    设备简介
     



    设备品牌:

    上海实路真空技术工程有限公司Shanghai Shilu Instruments Co., Ltd.


    设备型号:

    UHV Sputter -350L


    设备原理:

    一种较为常用的PVD镀膜法,在真空室中,利用低压气体放电现象,使处于等离子状态下的离子轰击靶表面,并利用环状磁场控制辉光放电,使溅射出的粒子沉积在基片上,从而得到均匀优质的薄膜。


    应用领域:

    适用于绝大部分器件工艺、表面装饰等领域,在高温超导薄膜、太阳能电池、记忆合金等薄膜研究方面起到重要作用,快速沉积优质超硬膜,增透膜,表面功能膜等适应科技领域前沿方向。


    主要特点:

    1. 溅射靶枪:4支标准靶枪,1支为强磁靶枪;

    2. 工艺气体:Ar、N2O2

    3. 沉积温度:室温-750℃;

    4.  极限真空:3E-10 Torr;

    5. 兼容样品:2英寸;

    6. 膜厚不均匀性:≤5%;

    7. 衬底偏压:0-50 W;

    8. 石英灯除气:0-350℃。

     
    02

    真空互联特色

    互联转接制作中



    03

    关键性能指标

    基片加热(室温~700℃);

    溅射腔本底极限真空:3E-10 Torr

    溅射真空:≥1.9 mTorr

    拥有直流电源(~500 W)和射频电源(~300 W)

    工艺气体:Ar(~200 sccm)O2(~100 sccm)N2(~100 sccm)

    不均匀性:5%

    冷却水:1.5~3 L/min

    溅射速率:0.1~10 A/s


    04

    设备功能

    材料生长:

    1. 常规金属:TiTaNbCuWAlNi等;

    2. 陶瓷材料:STOITO


    05

    设备案例

    ITO:可见光波段,平均透过率≥95%



    06

    制样要求

    标准两寸片,碎片或小片可选择粘贴或点焊在2Mo托上。

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