仪器详情
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功能/应用范围：
在超高真空条件下，样品衬底与蒸发源相对放置，通过电阻丝直接加热坩埚，或者电子束轰击生长源/坩埚的方式，使得生长源温度升高，在真空腔体内其饱和蒸气压升高，进而产生分子束流，在衬底表面经过吸附，迁移，扩散等过程，最终在样品表面沉膜、氧化物介电薄膜。
主要技术指标：
背景压力：超高真空（2×10-10 mbar）
衬底温度：110 K-1100 K
外延控制精度：单原子层至多原子层
服务内容：
服务典型成果：
用户须知：
收费标准：
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