仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
用于半导体器件、光电子器件及集成电路制造等领域对硅晶片进行n型与P型扩散掺杂以及氧化工艺
主要技术指标：
1.磷扩散工艺（炉管1）
磷源：液态POCl3，工艺气体：高纯N2、O2、POCl3
Temperature: 900-970 °C
2.硼扩散工艺（炉管2）
扩散源：液态BBr3
主要工艺气体：高纯N2、O2、BBr3
3.干氧/湿氧氧化工艺（炉管3）：
主要工艺气体：高纯N2、O2、H2、DCE
4.温度范围：500-1200 °C
Process temperature：500 to 1200 degree
5.硅片尺寸：3英寸、4英寸、6英寸圆片；50片/炉
Silicon wafer: 3”,4”,6” wafer；50wafers/batch
服务内容：
无
服务典型成果：
无
用户须知：
收费标准：
面议