仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
1.P-N接面漏电
2.接触窗突穿造成的P-N接面的漏电
3.饱和区晶体管的热电子
4.P-N接面崩溃
5.闩锁效应
6.氧化层漏电流产生的光子激发
7.细丝残留的多晶硅
8.硅基底的损害及毁坏
主要技术指标：
光波侦测范围：400~1100nm
服务内容：
服务典型成果：
无
用户须知：
对外服务时间:24小时。参数：光波侦测范围：400~1100nm 。附件：CCD detector
收费标准：
面议