仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
用于半导体光伏薄膜的生长
主要技术指标：
一、结构形式：真空室采用U型箱体前开门；
二、真空室：500*500*600mm2；
三、真空系统配置：复合分析泵、机械泵、闸板阀；
四、极限压力：≤6.67*10-5Pa；
五、电子束蒸发源：e型电子枪：阳极电压：6kV；
六、坩埚：水冷式坩埚，四穴设计，每个容量11ml；
七、功率：0-6KW可调；
八、工件架类型尺寸：基片尺寸：3英寸基片；
九、加热最高温度800℃±1℃；
十、基片可连续回转，转速5-60转、分；
十一、基片与蒸发源之间距离300-350mm可调；
十二、手动控制样品挡板组件1套；
服务内容：
无
服务典型成果：
无
用户须知：
无
收费标准：
面议