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功能/应用范围:
主要技术指标:
输入电流:1nA-20mA;电阻率:10exp(-5)-10exp7Ωcm;载流子浓度:10exp7-10exp21cm-3;迁移率:1-10exp7cm2/Volt.sec;磁场强度:0.37T, 0.55T,1T, 0.25-1T变场磁体;样品测量板:PCB样品板,SPCB弹簧样品板,晶圆样品板等;样品尺寸:5mmX5mm-20mmX20mm (可选配30mm或2inch大样品板);测量温度:常温,77K液氮浴;主机尺寸:360×300×105 mm (W×H×D)磁体Kit尺寸:200×120×110 mm(W×H×D);净重:7.7千克;测量材料Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)。
服务内容:
服务典型成果:
用户须知:
收费标准:
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