4P-STM 四探针扫描隧道显微镜

四探针扫描隧道显微镜与角分辨光电子能谱（ARPES）通过真空互联转接腔室进行样品传递，可同时实现原位的MBE生长，STM形貌表征和能带结构、费米面等电子信息的获得，减少样品暴露空气过程的氧化和污染，从而获得材料最本征的信息。同时4 probe STM适用的旗形样品托通过搭载两寸圆形样品转接托，利用超高真空管道可传输至纳米真空互联实验站的其他设备进行进一步的样品处理、器件加工、成分表征、缺陷分析等，真正实现原子层级器件制备及测试所需要的超洁净环境。

XY方向分辨率：0.1nm，Z方向分辨率：0.01 nm；

扫描头XY/Z方向上粗动：分别为5 mm/3 mm；

SEM分辨率：好于30nm；

工作压力：超高真空（UHV）;

样品直接加热温度：> 1200℃，间接加热：> 900℃；

样品台温度：5K-RT可变，5 K下持续时间为36小时。

1. STM形貌扫描

可获得薄膜形貌及原子分辨；

2. MBE生长系统

可进行原位的样品处理及样品生长；

3. 电学输运系统

可进行微区变温电学输运，可获得样品电阻率，方块电阻，R-T曲线等。

四探针扫描隧道显微镜（4-probe STM），不仅可得到材料表面的高质量原子分辨像，而且还可通过多探针在超高真空条件下直接和样品接触，测量样品的电输运性质。这种原位的表征手段免去了大气环境对样品的污染，可以得到材料本征的电输运特性。这种原位的原子结构、电子结构和电输运测试相结合的测试技术，对研究低维材料体系、特别是高温超导薄膜、拓扑绝缘体薄膜、二维电子气等有着非常重要的意义。

1. STM测试样品需为导体或导电性良好的半导体；

2. 样品可用标准旗形样品托固定，样品尺寸建议10*10*1mm；

3. 需直流加热处理的样品尺寸10*2*0.5mm，其他样品尺寸联系管理员确认;

4. 液体、粉末及挥发性强或真空内放气严重的固体不可进入超高真空腔室测试。