UHV Plasma/LEED 

超高真空等离子体清洗机

/低能电子衍射

与生长设备M-MBE、Sputter等联用，做到样品的原位处理。

1. Plasma关键参数

RF功率：≤500 W；

反射功率：小于10 W；

真空度要求：背底真空优于5×10^-8 Torr，工艺真空优于1×10^-5 Torr；

工艺气体：N2、H2、Ar；

气体流量：小于10 sccm；

样品台加热温度：小于800℃；

样品台最高旋转速率：30 r/min；

工作距离：120 mm；

关键尺寸：入射角与样品表面法线25°；

可处理的样品尺寸：2英寸。

电子能量：5~750 eV (LEED) ，5~3000 eV (AES)；

光斑大小：250 μm~1 mm；

电子束电流：LEED：2 μA at 100 eV，AES：100 μA at 3 keV；

发射电流: 1-200 μA；

工作距离：180 mm。

表面处理、表面元素和晶格结构快速检测。

2英寸Si(100)仅经过有机清洗，再超高真空退火，经管道互联至LEED，可测得相对洁净有序的(2×1)表面。

1. 适用于2英寸样品，小于2英寸样品需固定；

2. 粉末样品不可进入；

3. 导电胶光刻胶等有机物不可使用。