SEM(CL) 扫描电子显微镜

SEM与生长设备互联应用，可以避免外界杂质、空气、水对生长薄膜的形貌、能谱、发光特征的影响。

SEM与测试/工艺设备互联应用，可以通过刻蚀作用，去除表面氧化层/污染层，测量样品本征发光和元素分布的性质。

    本扫描电镜设备还配备了能谱及阴极发光功能，因此除了可以观察样品表面形貌及原位的成分分析，还可以原位得到光谱信息，发光密度及该位置角度分辨信息。

(a) 快速成像：大规模、快速成像，获得半导体及矿物的全光或某一波段的发光成像；

(b) 超光谱成像：波长范围：185-900 nm，光谱分辨率<0.1 nm，获得有关（纳米）材料的局部光学和结构特性的有用信息；

(c) 角度分辨：根据方向性来表征材料性能，这种成像模式获得的角轮廓在纳米光子学领域有很高的价值。

1. 基于该设备SEM-EDS相关合作研究成果，“bandgap Tailoring of Monoclinic Single-Phase β-(AlxGa1x)2O3 (0 ≤ x ≤ 0.65) Thin Film by Annealing β-Ga2O3/Al2O3 Heterojunction at High Temperatures”为题的这个文章利用EDS Maping功能将β-(AlxGa1x)2O3和β-Ga2O3生长的界面成分扩散。该文章于2021年被发表Physica Status solidi A。

EDS Mapping:β-(AlxGa1x)2O3和β-Ga2O3生长条件

2. 基于该设备SEM-CL相关合作研究成果, “AlGaN材料体系横向极性结构生长及其性能表征”文章ACS Aplied Nano Material 2020，3，5335。蓝宝石基片生长前氮化处理对UVC AlGaN基MQW极性控制的影响，利用CL将形貌和发光结合起来，通过CL线扫功能研究III-极性域和n -极性域的光学性质。

3. 基于该设备SEM-CL相关合作研究成果, “HVPE外延生长GaInP/Si界面缺陷分析”文章J. Appl. Phys. 2020, 128, 055308，研究了S掺及未掺的GaxIn1−xP/Si异质结的各种性能，利用CL研究对其截面全光成像，得到掺杂与未掺的发光对比，且从光谱上计算得到掺杂浓度。

1. 样品不能有磁性；粉末样品不能进；

2.样品2英寸可以直接走管道进；

3.导电性差需要提前喷金；

4.CL测试样品平整度小于100 μm。