仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
被广泛应用于半导体材料掺杂、改变光学材料的折射率、提高超导材料的临界温度，
表面催化、改变磁性材料的磁化强度和提高磁泡的运动速度和模拟中子辐照损伤等等领域。
此外离子注入技术也广泛应用于金属、陶瓷、玻璃、复合物、聚合物、矿物以及植物种子改良上。
主要技术指标：
注入能量：10keV～1MeV（单价离子）; 注入剂量：1E11～1E17 ions/cm2; 角度：±11°; 样品：6英寸（向下兼容），17片; 目前可进行硼、磷、氟、铝、氮、氩等离子注入.
服务内容：
高能离子注入
服务典型成果：
GaN材料F离子注入隔离；
Si、SiC、GaAs、GaN等等半导体材料离子注入掺杂。
用户须知：
晶圆尺寸不大于6英寸；
材料厚度不大于1mm；
注入角度|α|+|β|≤11°。
收费标准：
1600元/小时