仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
用于半导体材料诸如：硅晶圆、陶瓷、石英、晶体等硬质材料的高精度研磨。
主要技术指标：
1. 晶圆尺寸： 4”、5”、6”、8” 晶圆厚度： 1000μm
2. 研磨方法 向下进给式研磨 在线测量厚度控制
3. 工艺指标 片内厚度差（TTV）： ≤1.5μm
片间厚度差（WTW） ≤±2μm
粗糙度（Ry）： ≤0.13 μm(2000#磨轮)
注：以8寸Si wafer为例，不带保护膜情况
服务内容：
按约定的方式提供服务
服务典型成果：
未透露
用户须知：
遵照中国科学院对外开发统一管理规定
收费标准：
根据样品情况面议