场发射扫描电子显微镜/能谱仪
型号：Quanta 400 FEG；CENESIS XM2 SEM EDS
制造厂商：FEI Electron Optics B.V. / EDAX
购置日期：
生产国别：捷克
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仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
以很高的分辨率对物质微观形貌进行显微成像分析；测定物质结构；在物质微观形貌及结构进行分析的同时，对物质成分进行微区分析，微区尺寸可为纳米尺度。EBSD技术获得纳米材料以及超细材料的晶体结构和晶体取向，从而确定晶体生长模型；对于金属材料进行织构分析、相鉴定、晶粒尺寸的测量、断裂机制、失效机理研究和应变评估等。
主要技术指标：
分辨率
二次电子(SE)成像：高真空模式：30kV时 1.2 nm；1kV时 3.0nm
低真空模式：30kV时 1.5 nm；3kV时 3.0nm
ESEM环境真空模式: 30kV时 1.5 nm
背散射电子(BSE)成像：30kV时 2.5 nm
放大倍数
高真空模式: 12x - 1,000,000x
低真空模式: 12x - 1,000,000x
服务内容：
服务典型成果：
无
用户须知：
对外服务时间:周一到周五。参数：分辨率
二次电子(SE)成像：高真空模式：30kV时 1.2 nm；1kV时 3.0nm
低真空模式：30kV时 1.5 nm；3kV时 3.0nm
ESEM环境真空模式: 30kV时 1.5 nm
背散射电子(BSE)成像：30kV时 2.5 nm
放大倍数
高真空模式: 12x - 1,000,000x
低真空模式: 12x - 1,000,000x
。附件：能谱仪，背散射电子衍射分析系统
收费标准：
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