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功能/应用范围：
原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度，成份和结构），优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。目前可以沉积的材料包括：氧化物，氮化物，氟化物，金属，碳化物，复合结构，硫化物，纳米薄层等。
主要技术指标：
1.反应腔体是不锈钢制作，适用于处理最大直径8英寸,高度3mm的单片硅片平面 衬底, 可用于Al2O3、HfO2、SiO2和TiN单层或任意叠层薄膜的生长；2 . 腔体为双腔体结构，最高加热温度500摄氏度； 3. 配备液态源、气态源及固态源等沉积前驱体，其 中加热源系统可以独立加热到300摄氏度，液态源瓶容积为200ml；4.配置 三个液态源: H2O，TMA， TiCl4，AP-LTO 330 气态源：NH3， O 3，固态源：TEMAH，其中NH3管线采用安全气路设计；5. 配备油式真空泵，真空泵抽速不小于30立方米/ 小时，可以抽到的3E-3mbar。
服务内容：
镀膜
服务典型成果：
赵毅教授研究小组在InGaAs-OI MOSFET器件方面取得新进展
用户须知：
浙江大学大型仪器设备有偿服务管理办法
收费标准：
面议