仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
（1）溅射真空室和工作气路组件：暴漏大气后抽真空，提供高真空实验条件；（2）基片加热公自转台组件：实现多靶共溅；（3）单基片加热台组件：实现6个样品的直溅；（4）电控单元：提供射频电源、直流电源，检测真空度、温度、气体流量，控制基片挡板、靶材挡板等
主要技术指标：
调试过程中，直溅设备抽真空实验过程顺利，经过12小时后，溅射室能达到10-5 Pa。将直溅设备换成多靶共溅射设备后再换回直溅设备进行抽真空时，不能在指定时间内达到5.0×10-4Pa，停泵关机12小时真空度不能达到≤1Pa，故将直溅设备公自转台组件拆卸重新安装，再次调试时，60分钟真空度达到5.0×10-4Pa。
服务内容：
采用磁控溅射方式制备各种金属膜、介质膜、半导体膜，而且又可以较好地溅射铁磁材料（Fe、Co、Ni），制备磁性薄膜。在镀膜工艺条件下，采用微机控制样品转盘和靶挡板，既可以制备单层膜，又可以制备各种多层膜
服务典型成果：
待补充
用户须知：
待补充
收费标准：
面议