仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
主要用于刻蚀介质材料，将光刻胶上的微纳结构转移到基底。1.刻蚀材料范围：Si、SiO2、Si3N4等硅基材料 2.样品尺寸：下电极尺寸240nm，最大可加工基片尺寸200mm，带有加热与冷却装置 3.射频电源：射频13.56MHz，功率0-600W可调 4.进样方式：开启式进样系统 5.供气系统：8路刻蚀气，包括CF4、CHF3、SF6、N2、He、O2、Ar等 6.控制系统：可设定刻蚀程序，刻蚀过程自动控制；含显示屏，显示工艺状态；具有良好用户界面
主要技术指标：
极限真空度<3*10-4 Pa；样品最大8英寸；刻蚀气体CF4、SF6、CHF3、Ar、O2；300W RF电源；刻蚀速率均匀性<±5%，满足微纳图形刻蚀。
服务内容：
服务典型成果：
用户须知：
收费标准：
2000元/小时