仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
离子刻蚀，氧化物刻蚀 Work Scope:Max 8-inch Wafer
主要技术指标：
1.硅刻蚀速度>50nm/min 2.SiO2刻蚀速度>30nm/min 3.SiN刻蚀速度>30nm/min 4.均匀性<±5%
服务内容：
服务典型成果：
用户须知：
收费标准：
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