仪器详情
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功能/应用范围：
目前所提供的气体有O2、N2、Ar，较适合蚀刻二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si4N3)与多晶硅(Poly-Si)。
RIE机台不能蚀刻金属或含金属的材料，故只能利用光阻或非金属薄膜当保护层。
若不确定自己的试片材料能否进行蚀刻时，请先向机台负责人询问作确认，以免造成腔体的污染。
主要技术指标：
在半导体制程中，蚀刻（Etch）被用来将某种材质自晶圆表面上移除。蚀刻通常是利用腐蚀性物质移除部份薄膜材料，以达到产生所需图案（Pattern）之技术。
一般将蚀刻分为湿式蚀刻和干式蚀刻，而干式蚀刻（Dry Etching）又称为电浆蚀刻（Plasma Etching）且属于非等向性蚀刻，所以是目前最常使用的蚀刻方式。电浆蚀刻是一种以气体为主要的蚀刻媒介，并藉由电浆能量来驱动反应。
服务内容：
服务典型成果：
用户须知：
收费标准：
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