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功能/应用范围：
主要技术指标：
低温淀积氮化硅、氧化硅薄膜，工艺生产试验
1.PECVD-- 等离子体增强化学气相沉积。 2.特别适用于半导体器件和集成电路的钝化，用以提高器件和集成电路可靠性。 3.HQ-2型PECVD是一种操作方便的双室系统，反应室中不存在漏大气的问题。因此，生成的膜质量很高、粉尘极少、均匀性好。生长的SiNx膜在酸性或者碱性溶液中腐蚀极慢，成膜致密，可用作抗腐蚀掩蔽层。
服务内容：
服务典型成果：
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