仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
沉积In金属
主要技术指标：
真空：进样室极限真空可达到2E-4Pa
薄膜制备室极限真空可达到2E-5Pa
进样室配备卡夫曼刻蚀离子源，配备刻蚀气体：Ar，刻蚀不均匀性低于±5%
薄膜制备室安装双温区热蒸发束源炉，材料：In，坩埚容量50cc，In沉积速率最快可达5nm/s
设备极限真空：<5×10-8Pa，常驻本底真空<1×10-7Pa
薄膜制备室样品台配置VPC-500型深冷机，可对样品进行冷却
服务内容：
服务典型成果：
用户须知：
收费标准：
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