仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
本设备用于磁控溅射工艺制备CuI基半导体薄膜，其他氧化物、卤族化合物等光电功能薄膜。
主要技术指标：
1．镀膜机与手套箱连接，在手套箱中开关真空室，取放样品
2．镀膜机要求：
磁控电源：1套直流+2套射频
基片尺寸：最大镀膜区域1片圆形3寸基片
样品台：加热最高400度，制冷最低-80度，靶基距50-300mm范围可调
合理设计的碘蒸发、碘蒸气传输与流量精确控制系统
真空腔体、气体管路、真空泵需要具备防碘蒸气腐蚀的功能设计
极限真空度:≤8×10-5Pa，在充惰性气体后换基片的情况下抽到 5×10-4Pa≤30分钟
3．手套箱要求：
双工位手套箱宽度≥2400mm，单工位手套箱
服务内容：
服务典型成果：
用户须知：
收费标准：
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