仪器详情
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功能/应用范围：
反应离子刻蚀机在射频电源驱动下，在上下电极间形成电压差、产生辉光放电，反应气体分子被电离生成等离子体；根据功率、气体、衬底材料等不同条件，等离子体中的游离基与被刻蚀的材料发生化学反应，生成能够由气流（真空系统）带走的挥发性化合物，而被光刻胶或介质掩膜所覆盖的衬底材料，则没有产生上述化学反应，从而实现各向异性刻蚀。
主要技术指标：
反应室：240mm直径铝制下电极，可处理8”晶片和以下的样品；基座冷却水冷却；反应气体 进气方式为showerhead方式进气；上下电极间距55mm;带观察窗；配备薄膜真空计(DG)和全量
程真空计(FRG)。
*2)反应室排气：4角对称垂直向下排气，VAT闸板阀，自动压力控制；
*3)工艺气体：不少于4路工艺气体，包含CF4,O2,CHF3,SF6;气体控制柜集成在主机中。
4)RF射频源：13.56MHz射频源，最大300W;全自动匹配，30-300W功率范围内反射功率小于5W。
5)反应室等离子正常放电范围：4Pa-50Pa。
6)反应室装配涡轮分子泵(200L/sec)和干泵(500L/min)。
7)反应室抽速要求5分钟内从大气到1X10-2Pa内。
8)反应室极限真空：<3X104Pa
9)反应室漏率：30分钟反应室气压上升小于3.3Pa。
*10)操作界面：使用触摸屏操作，具有良好的用户界面，操作简单；支持手动自动模式。
服务内容：
服务典型成果：
用户须知：
收费标准：
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