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功能/应用范围:
GSE C200 感应耦合等离子体刻蚀机是感应耦合高密度等离子体干法刻蚀机(Inductively Coupled Plasma Etcher),采用半导体刻蚀机的成熟技术,独特设计的等离子体源,实现了对腔室内等离体密度的均匀控制,满足刻蚀工艺的要求。
主要技术指标:
GaN/刻蚀速率≥0.1~1um/min
均匀性(within wafer)≤3%
均匀性(wafer to wafer)≤3%。
服务内容:
服务典型成果:
用户须知:
收费标准:
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