仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
SI 500为研发和生产提供先进的电感耦合等离子体(ICP)工艺设备。它基于ICP等离子体源PTSA，动态温度控制的衬底电极，全自动控制的真空系统，使用远程现场总线技术的先进的SETECH控制软件和用于操作SI 500的用户友好的通用接口。在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性，可保证实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。ENTECH提供用户不同级别的自动化程度，从真空片盒载片到一个工艺腔室到六个工艺模块端口，可用于不同的蚀刻和沉积工艺模块组成多腔系统，目标是高灵活性或高产量。SI 500 ICP等离子ǯ 怂占ᲀ ᲀ뗐窡 窡占ᲀ�窥
主要技术指标：
在等离子体刻蚀过程中，衬底温度的设定和稳定性对于实现高质量蚀刻起着至关重要的作用。动态温度控制的ICP衬底电极结合氦气背冷和基板背面温度传感，可在-150°C至+400°C的广泛温度范围内提供了优良的工艺条件，具有低损伤刻蚀，高速刻蚀速率。 氩气工作状态下 压强范围 0.2 Pa-10 Pa，功率 100-120 W,等离子体密度5＊(10^11) 每立方厘米，最小离子能量大于10eV。
服务内容：
服务典型成果：
用户须知：
收费标准：
1000 元/小时