仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
主要用于材料、器件和IC芯片的结构/缺陷观察和尺寸精确测量。针对尺寸在几百纳米到几十微米的微孔、纳米颗粒或表面结构，如高分子材料、IC芯片或器件结构、涂料颗粒、金属晶格、大纳米颗粒、碳纳米管等。
在IC芯片故障分析中，因表面结构有景深，用一般金相显微镜不能达到要求时，通常放大倍数超过150X，需要用到电子显微镜。
主要技术指标：
性能参数：
30KV高压下分辨率3.5nm
1KV电压下分辨率25nm
环扫条件下分辨率3.5nm
服务内容：
服务典型成果：
无
用户须知：
对外服务时间:周一至周日。参数：性能参数：
30KV高压下分辨率3.5nm
1KV电压下分辨率25nm
环扫条件下分辨率3.5nm
。附件：SEM：二次电子探测器
收费标准：
面议