1）制备超薄HR S/TEM和APT样品；2）对感兴趣的区域进行最精确的定位，提供最高质量多模态亚表层和三维信息；3）用于材料和器件结构进行快速精确的离子束刻蚀、离子束沉积和电子束沉积；4）制备微纳结构。

1）电子束核心指标：分辨率 0.6nm @ 15kV，0.7nm @ 1kV，1.0nm @ 500V，1.2nm @ 200V 2 ）电子束其他性能指标 配备专利技术的单色器，降低电子能量的色差系数，电子能量分辨率≤0.2eV；电子着陆能量范围：20eV–30keV；电子束束流：0.8pA-100nA，1pA以下可以成像观察 3）离子束系统 Ga离子束分辨率：2.5nm @ 30kV ，Ga离子束流强度：0.1pA–65nA，离子束电压：500V–30kV 4）样品室 大样品仓，仓门内径≥379mm；具有≥21个附件/ 探测器接口；减速样品台，最大方向电压-4kV 5）样品台 五轴样品台XYZRT；X、Y方向移动范围≥150mm，样品台倾斜范围：-10°至+60°，旋转尺寸360°；高精度piezo-driven压电陶瓷驱动，样品台回复精度≤1.0μm；纳米机械手 6）辅助气体注入系统 可进行Pt、C、W、绝缘层的沉积 7）真空系统 完全无油真空系统，减少污染；由机械干泵、磁悬浮涡轮分子泵和离子泵构成；样品室真空度可以达到3*10-4Pa级 8）探测器 样品室二次电子探测

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