仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
基于等离子体增强化学气相沉积方法的4英寸碳纳米结构 (包括碳纳米管、石墨烯)和 硅、锗纳米线生长系统是一套既可以生长碳纳米管、石墨烯,又可以生长硅纳米线和锗纳米线以及薄膜的高效可控生长设备,是 目前研究碳、硅及锗纳米材料必不可少的 生长合成装置。
主要技术指标：
1、增强等离子化学沉积和热化学沉积四英寸处理腔，最高价热温度900度 ,升温速度300度/秒 ,5组加热器，由于气流条件晶圆表面温度可达825度，真空处理腔具有水冷却系统,氦测漏达到1Eˉ9mbar-L/sec，通过高流量氮气冷却,在30分钟内从800度 降到常温。
2、工艺气体流量控制器，管路真空度达到lE-9ˉL/sec
3、手套箱
4、自动控制阀
5、 压力传感器
6、自动压力控制蝶阀
7、热控制传感器
8、 等离子发生器，最大电压,电流,功率为800V、2.5A, lKW，样式为直流+可变频率 (
服务内容：
碳、硅及锗纳米管线生长合成
服务典型成果：
无
用户须知：
苏州大学大型精密贵重仪器设备管理办法
苏州大学大型仪器设备收费管理暂行办法
苏州大学大型仪器设备共享管理办法（试行）
收费标准：
面议