仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
介质膜沉积
主要技术指标：
Si02
SiH4 and TEOS based
Stress: -260MPa～+50MPa可调
TK_U%:<2%
Low temperature:200℃～400℃
SiN
Stress: -100MPa～+500MPa可调
TK_U%:<2%
Low temperature:200℃～400℃
还可沉积BPSG，PSG，SiON
服务内容：
服务典型成果：
用户须知：
1. 晶圆类型：硅片
2. 晶圆尺寸：6寸(150mm)
3. 晶圆平边尺寸：57.5±2.5mm
4. 晶圆厚度：400-750um
收费标准：
按照项目成本核算报价