仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
多层外延生长，如缓冲层和梯度带隙生长
p-n同质结或异质结制备
超薄薄膜制备，如量子阱、超晶格
光波导制备
主要技术指标：
背景压力：超高真空（~1×10-10Torr）
外延控制精度：1原子层
外延数量:3片2"或1片4"
源炉：常规Ⅲ-Ⅴ族半导体所有元素以及掺杂源
服务内容：
服务典型成果：
用户须知：
收费标准：
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