仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
蒸发铝、铜、金、银、钼、钽、钛、铬等金属或合金薄膜
主要技术指标：
1.极限真空度：£5´10-4 Pa
Ultimate Vacuum: £5´10-4 Pa
2.薄膜均匀性：£± 3% （以4英寸基片为准，镀膜厚度在200nm时）
Film non-uniformity: £± 3% @ 200nm film on 4” wafer
3.蒸发速率: 20A/sec
Evaporation rate: 20A/sec
4.电子枪：2只；8个坩埚
Two E-guns; eight crucibles
5.基片加热： 烘烤温度³350℃
Substrate heating: baking temperature ³350℃
6.基片尺寸：平板工作盘直径160mm
Substrate stage size: 160mm
服务内容：
无
服务典型成果：
无
用户须知：
收费标准：
面议