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上海理工大学
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离子束蚀刻系统
型号:MRIBE-150E
制造厂商:北京创世威纳科技有限公司
购置日期:
生产国别:中国
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仪器详情
用户评价
功能/应用范围:
采用射频离子源产生的离子束刻蚀装载在工作台上的样品,通过物理溅射及化学反应,使得部分样品材料在原子层面上连续被去除,完成光栅槽形的刻蚀。
主要技术指标:
真空指标 1 极限真空度*:≤9×10-5Pa 2 系统漏率*:1×10-7Pa.l/h 3 静态升压:系统停泵关机后12小时后,真空度≤5Pa 4 恢复真空:系统充干燥N2解除真空,短时暴露大气后抽气抽至9×10-4Pa时间≤30min(新设备) 离子源配置及参数 1 离子束有效径径*:Φ16cm; 2 束流不均匀性*:≤±5%(Φ100mm范围内) 3 栅网结构:三栅(屏栅、加速栅、减速栅) 4 束流密度*:~3mA/cm2,连续可调; 5 离子能量*:100~1500eV,连续可调; 6 离子束激发:采用射频13.56MHz 7 电子中和:采用13.56MHz射频中和器。 8 可支持的离化气体:包括但不限于Ar、O2、SF6、CHF3。 工件台系统 1 传动系统 X-Y 两维滑台;θ轴水平旋转台(两套),其中一套适用于R50~200,另外一套适用于R200~350; 2 X、Y两维定位精度*:0.02mm 3 离子束入射角的调节精度*:
服务内容:
服务典型成果:
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