仪器详情
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功能/应用范围：
将Ga(镓)元素离子化成Ga+, 然后利用电场加速.再利用静电透镜(electrostatic)来聚焦,而用数控系统来将高能量(高速)的Ga+打到指定的点，然而，当离子束打到芯片后会激发二次离子及二次电子。这些二次离子及二次电子会被侦测器侦测，会将类比讯号转成数位讯号，经由讯号处理器将讯号放大到计算机进而人员就可在计算机荧幕上看到芯片的表面形貌，再藉由辅助气体与离子束的配合(例如:铂金(PT)之配合，来沉积线路，而用碘气(I2)来蚀刻(切线)金属线路)，以针对客户对所指定的芯片区碱及方案内容，开
主要技术指标：
(1)离子枪：高电压离子源
(2)电压：Vacc (Accelerating voltage): 0.5 ~ 50 kV
Vext (Emission extracting voltage): 0 ~ 6.5 kV
(3)分辨率：5 nm at 25 keV
(4)放大倍率：200 ~ 15000倍
(5)可观察范围：x: 0~25mm; y: 0~25mm; z: 5~30mm
(6)超高真空系统：~10-8 Pa
(7)可侦测讯号：二次离子、二次电子影像
服务内容：
随着半导体工艺制程的微小化进程飞速的发展，对设备能力要求也是越来越高，这就需要更高端的设备去配套完成他们的试验要求，正式在这样的环境下，我们多次成功帮助科研院所及设计公司的市场上最小工艺制程达到28纳米的芯片上的Debug修正，为其节约的宝贵的研发时间，节省了大量的研发经费，使其走在行业前列。
服务典型成果：
无
用户须知：
对外服务时间:8:30-17:30。参数：A,电压:Vacc:0.5~30KV Vext:0~6.5KV B,分辨率:5nm at 25KeV C, 放大倍率:200~15000倍D,可观察范围:x:0~25mm;y:0~25mm;z:。附件：1．UPS 2. TURBO PUMP
收费标准：
面议