仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
利用高能量惰性气体冲击配比完善的靶材，轰击出来的原子或者离子按照一定的化学计量在此设备所提供的真空或者气氛中沉积在基片表面，形成薄膜。此设备可以用来进行磁控溅射制作薄膜样品。适用于镀制各种单层膜、多层膜系，可镀掺杂膜。可镀金属、合金、化合物、半导体、介质复合膜和其它化学反应膜。
主要技术指标：
1、该设备为五靶双室磁控溅射设备，由超高真空磁控溅射镀膜室、进样室、退火炉、隔断阀门、送样机构、电源及控制系统和真空系统组成。
2、主溅射室极限真空度：2×10-5pa，进样室极限真空度：5×10-5pa。
3、设备总体漏放率：关机停泵12小时后，真空度优于5pa。
4、设备配置2英寸永磁靶5支。
5、基片尺寸：2英寸（按客户要求设计）。
6、靶到基片的可调间距：40～100mm，有调位指示。
7、质量流量控制器量程：200SCCM，100SCCM。
8、成膜均匀度：φ50mm范围内≤±3％。
9、衬底
服务内容：
1、近代物理实验；2、本科毕业设计；3、科研
服务典型成果：
无
用户须知：
其他部门、外单位经营性使用，可根据具体情况，酌情收取费用，使用收费标准根据学校有关规定，进行收取。
收费标准：
面议