仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
主要技术指标：
PECVD室主要组成及技术指标：PECVD极限真空度：≤6.0x10-5Pa(经烘烤除气后)；系统真空检漏漏率：≤5.0x10-8Pa.l/S；
系统从大气开始抽气：溅射室40分钟可达到6.0x10-4 Pa；系统停泵关机12小时后真空度：≤5Pa。三靶磁控溅射系统主要组成及技术指标：溅射室极限真空度：≤6.6x10-5Pa(经烘烤除气后)；系统真空检漏漏率：≤5.0x10-8Pa.l/S；系统从大气开始抽气：溅射室40分钟可达到6.0x10-4 Pa；系统停泵关机12小时后真空度：≤5Pa。合同规定的功能：该系统是一台高真空双室PECVD与磁控溅射集成联合镀膜系统，由PECVD沉积室、三靶磁控溅射镀膜室和公共部分组成。系统可用于开发纳米级的单层及多层功能膜和复合膜-可镀金属、合金、化合物、半导体、陶瓷膜、介质复合膜和其它化学反应膜等。
服务内容：
服务典型成果：
用户须知：
收费标准：
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