仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
DSE 200设备是针对硅功率器件开发的专用刻蚀设备，主要用于8英寸及以下IGBT、MOSFET及Super Junction中的Deep Trench刻蚀。不同于MEMS工艺的深硅刻蚀，DSE 200设备针对的是单步平滑刻蚀工艺，保证功率器件的电压性能。DSE 200设备针对研发/中试线/量产领域可以灵活配置平台方式。
主要技术指标：
中心/边沿独立MFC设计，保证8寸及以下工艺均匀性。
采用大抽速分子泵，工艺窗口更宽。
独特设计的气体比例控制，可以实现刻蚀角度80°-90°可调。
配置低频偏压，可实现高达25：1的单步平滑硅刻蚀工艺。
腔室可加热至120℃，配备优化的Dryclean制程，保证腔室环境稳定。
提供多种新工艺开发及解决方案。
软件具有安全方便的权限管理，人性化的操作界面和完善的日志记录功能，支持工厂自动化（FA）。
服务内容：
DSE 200设备是针对硅功率器件开发的专用刻蚀设备，主要用于8英寸及以下IGBT、MOSFET及Super Junction中的Deep Trench刻蚀。
服务典型成果：
暂无
用户须知：
暂无
收费标准：
面议