仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
等离子体加强气相沉积设备，用于沉积SiNx/SiON，工艺温度＜100℃条件下，实现低水氧透过率、高膜层质量及均匀性。
主要技术指标：
Deposition Rate：SiNx> 25Å/sec, SiOx>45Å/sec
Thickness Uniformity：Within wafer : ≦ 5% @ 500 nm
Wafer to wafer : ≦ 3% @ 500 nm
Refractive Index：SiNx : 1.85±0.1, SiOx : 1.45±0.1 @ 633 nm
Transmittance：SiNx> 90%, SiOx> 95% @ wavelength 430~760nm
Stress：≦ǯ 怂占ᲀ ᲀ뗐窡 窡占ᲀ�窥占ᲀ먡窡㐰ǟრ痁䛸ᑧრ痁჻痁 㟈Ǜ 㟈Ǜ 杻㟈Ǜ㟈Ǜ"翻律㟈Ǜ 디眖ꝶᐬЀ ⍐ᐡ숌ᑔ굠睎 ⍐ᐡ 易䑕蕋易鳂睌Љ 䕄ǯ 哰ᲀ䘼睋鷐睌 ᩄ ㉨ᠯ숌ᑔ ꋔǯ練
服务内容：
服务典型成果：
用户须知：
收费标准：
600元/时