仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
低温成膜，温度对基片影响小，可制备厚膜，膜层成分均匀；等离子体对基片有清洗作用；该设备主要应用等离子体化学气相沉积技术，用来制作SiO2、SiN4、非品Si等介电、半导体及金属膜。
主要技术指标：
样品最大6英寸；本底真空< 7´10-5 Pa；衬底加温范围为室温-600 ℃；厚度均匀性均优于±5 ％；可制备SiO2和SiN薄膜
服务内容：
服务典型成果：
用户须知：
收费标准：
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