仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
ICP刻蚀通过电感耦合等离子体辉光放电分解反应气体，对样品表面进行物理轰击以及化学反应生成挥发性气体，达到刻蚀的目的。具有两套射频电源，可以对等离子体密度和轰击到晶片上的离子能量进行独立控制，具有刻蚀速率快、各向异性好、选择比高、大面积刻蚀均匀性好等优势，广泛用于微机电、纳米器件、量子芯片等研究领域金属和III-V族化合物等材料微纳米结构刻蚀。
主要技术指标：
ICP 源：3000W 2MHz
RF 源：600 W 13.56MHz
晶片尺寸：最大 6 英寸
Au刻蚀：速率＞100nmmin；对PR选择比＞1
Cr刻蚀：速率＞50nm/min；对PR选择比＞0.5
Al刻蚀：速率＞250nm/min；对PR选择比＞2
砷化镓刻蚀：速率＞5um/min；对SiO2选择比＞20
服务内容：
校内外课题组器件加工中金属及III-V族化合物材料刻蚀
服务典型成果：
用户须知：
遵照中国科学技术大学公共实验中心对外共享统一规定
收费标准：
面议