仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
,主要用于SiO2、SiNx、a-Si等介质膜的生长，一次可放置两寸片5片，四寸片和六寸片1片，薄膜不均匀性≤±3%。 预约友情提示：低温工艺，请预约每天早上的第一炉工艺；掺杂（包括PH3、GeH4、B2H6、H2）、a-Si每天下午15:00以后可以预约。此类工艺请至少提前一天预约，以便设备做好相应准备。,
主要技术指标：
等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应， 从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。由于 PECVD 技术是通过反应气体放电来制备薄膜的，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式。 一般说来,采用 PECVD 技术制备薄膜材料时， 薄膜的生长主要包含以下三个基本过程：
首先，在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物； 其二，各种活性基团向薄膜生长表面和管
服务内容：
主要用于生长SiNX、SiO2、非晶硅等介质薄膜
服务典型成果：
主要用于生长SiNX、SiO2、非晶硅等介质薄膜
用户须知：
预约友情提示：低温工艺，请预约每天早上的第一炉工艺；掺杂（包括PH3、GeH4、B2H6、H2）、a-Si每天下午15:00以后可以预约。此类工艺请至少提前一天预约，以便设备做好相应准备。,
收费标准：
800元/小时，15分钟为基本时间单元