仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
（1）生长Ⅲ-As/P化合物半导体及其多元固溶体单晶薄膜或结构，包括GaAs衬底上生长的GaAs，AlGaAs，AlGaInAs和AlGaInP，InP衬底上生长的InP，InGaAs，AlGaInAs，和InGaAsP；
（2） 生长异质结、超晶格和量子阱等结构；
（3） 生长发光二极管（LED）、边发射和垂直腔（VCSEL）面发射激光器、太阳电池、光电探测器等光电器件；
（4） 生长高电子迁移率晶体管（HEMT）、异质结双极晶体管等功率器件；
主要技术指标：
工作压力：50-1000 mbar
工作温度：0-750 ℃
生长速率：0.01-1 nm/s
服务内容：
服务典型成果：
用户须知：
收费标准：
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