仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
制取高熔点物质的薄膜，在很大面积上可以制取均匀的膜层。
主要技术指标：
基片要求：2''，一次做一片样片；
电源：2个（1DC+1RF）；
靶位：4个（镍 铝 钯 钛）；
进气：N Ar O；
基片温度：室温至400℃；
薄膜均匀性≤±5%；
具备样品在真空管道与溅射腔室之间传送的功能；
设备本底真空：<5×10-7Pa
服务内容：
服务典型成果：
用户须知：
收费标准：
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