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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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超高真空磁控溅射-2
型号:UHV Sputter-350L
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仪器详情
用户评价
功能/应用范围:
一种较为常用的物理气相沉积镀膜法,在真空室中,利用低压气体放电现象,使处于等离子状态下的离子轰击靶表面,并利用环状磁场控制辉光放电,使溅射出的粒子沉积在基片上,从而得到均匀优质的薄膜
主要技术指标:
电源:2个(1DC+1RF) 靶位:5支(1强磁+4标准) 进气:N2、Ar、O2 基片温度:室温至800℃ 设备极限真空:<5×10-8Pa,常驻本底真空<1×10-7Pa 薄膜不均匀性<±5%
服务内容:
服务典型成果:
用户须知:
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