仪器详情
用户评价
功能/应用范围：
该系统使用了F基的刻蚀气体，具有Bosch工艺，适合于对硅材料进行大深宽比刻蚀。
主要技术指标：
1.工艺气体：He，O2，CF4，CHF3，C4F8，SF6 2.样品尺寸：6英寸或4英寸基片，小于4英寸的基片需使用6英寸或4英寸基片做载片。 3.RF功率：0－ 600W可调 4.ICP功率： 0－3000W可调 4. 样品台温度： -30℃至150℃可调 5.刻蚀工艺：深Si刻蚀Bosch工艺、低温等 6.刻蚀材料：硅、氧化硅、Si3N4，有机物，石墨烯，钨等 7.刻蚀精度：最小线宽30nm 8.深宽比：30:1 9.均匀性：6um/min
服务内容：
刻蚀
服务典型成果：
无
用户须知：
浙江大学大型仪器设备有偿服务管理办法
收费标准：
面议